本项目致力于研发和产业化基于高性能硒化锑（Sb2Se3）相变材料的存算一体集成芯片。该芯片名为PEIN-L1000，应用于人工智能、大数据处理、云计算、边缘计算等领域，特别适用于高性能计算、存储技术、物联网、自动驾驶等应用场景。项目的核心技术突破了传统存储和计算架构的瓶颈，将数据存储和计算功能集成到一个芯片中，实现了高效的数据存取与计算，显著提升了系统的性能和能效。我们采用先进的相变材料技术，结合纳米材料调控技术和精确的工艺创新，开发出了低功耗、高速度和高存储密度的芯片产品，具有广阔的市场前景。 【展开】 【收起】