本项目致力于研发并产业化基于高性能硒化锑（Sb₂Se₃）相变材料的存算一体集成芯片PEIN‑L1000，产品可应用于人工智能、大数据处理、云计算、边缘计算领域，尤其适配高性能计算、存储技术、物联网、自动驾驶等场景。项目核心技术突破传统存储与计算架构瓶颈，将数据存储、计算功能集成于单颗芯片，实现高效数据存取与运算，显著提升系统性能与能效。项目运用先进相变材料技术，结合纳米材料调控技术与精密工艺创新，开发出低功耗、高速度、高存储密度的芯片产品，具备广阔市场前景。 【展开】 【收起】