高性能氮化镓（HiperGaN）项目，使用热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD），基于 GaN 的金属极性 HEMT（High Electron Mobility Transistor 或者高电子迁移率晶体管）和氮极性的 HEMT晶体生长技术的开发，提供高性能、高速度、低功耗的电子元器件应用材料。项目可以实现具有高性能材料特征的传统非渐变通道金属极性GaN HEMT的结构，其具有超高速的二维电子气（2DEG ）迁移率，可以达到2368 cm2/V.s （截至目前，文献中最高的2DEG报告值）, 并且具有超低的非接触式电阻率 290 Ω/sq，锐利的电子通道和屏障界面，和很低的表面粗糙度。此项目还可以通过调整AlGaN 势垒的成分和厚度实现载流子的不同高低浓度，进而可以实现三种不同的渐变通道（指数、混合 tanh-线性和直线）的金属极性HEMT，使得器件的线性度得到改善和提高，这是应用在低噪声射频放大器的关键技术。在氮极性HEMT上，利用了多步骤升温法实现了高质量的GaN晶体外延生长且具有低至1nm的表面粗糙度。其主要 2DEG 通道的平均薄层电阻是 294 Ω/sq，其电子密度约为 2.2x1013 cm−2，电子迁移率2DEG约为 1170 cm2/V.s。GaN材料在高频、高功率应用方面具有很高的优势，与传统的硅材料相比，GaN 材料具有更高的电子迁移率、更小的阻抗、更高的工作温度和更高的抗辐射性能。因此，其在无线通信、功率放大、汽车电子、航空航天等领域具有重要的应用价值。 【展开】 【收起】