中德第三代半导体材料项目由留德人员发起，联合欧盟第三代半导体实验室和西北工业大学、南京大学微电子学院、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，旨在研究第三代半导体材料SiC晶体生长、大规模制备及更新一代半导体材料Ga2O3，金刚石，AlN等；技术水平为国内领先，将可以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶体，未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。该成果可广泛应用于新能源车、太阳能风能、充电桩、数据中心、电力电子、高铁、电源、雷达、5G通信、航空航天、器人等领域。公司于2021年2月成功研制出陕西省第一块6寸4H碳化硅晶体，4月研发出Ga2O3薄膜，目前在进一步优化工艺，即将开展大规模市场化应用！中德半导体将争取在2023年实现晶圆和相关上下游营业额达到5000万元，2023年达到销售额一亿，成长为西部宽禁带半导体材料独角兽。本项目核心团队由国内晶体材料领域一流的专家学者组建专业化和国际化的技术、营销和投融资团队组成，以10多位从欧美学成归国的博士团队为核心，包括：晶体生长、半导体材料、微电子学、计算机仿真、机械、自动控制、MBA管理等专业。此外，本项目团队还聘请德国和美国，日本长期从事 SiC 材料和有关设备的专家做技术顾问。 【展开】 【收起】