【第一参赛人/留学人员】刘大伟

【留学国家】英国

【技术领域】新一代信息技术

【参赛届次】第6届

【所获奖项】入围

【项目简介】
GaN功率器件是目前研发和产业开发的热点,其可以广泛应用在电动汽车、LiDAR、数据中心、开关电源等领域。本项目基于自主的专利技术和知识产权,专注于GaN功率器件高速智能驱动技术的开发和芯片设计及其产业化。本项目以高速驱动和智能驱动为主要研发方向,基于自主研发的关键技术,开发五个系列拥有自主知识产权的GaN驱动芯片产品。首先,推出与市场上知名厂家性能对标的GaN高速驱动芯片;进一步,推出自主研发的高速智能数字有源驱动芯片和自适应高速智能数字有源驱动芯片;更一步,研发GaN功率器件健康诊断技术与AI辅助的GaN驱动技术与芯片实现。项目第一阶段,作为无代工厂的芯片设计公司,提供与国外主流驱动芯片厂商对标的系列芯片产品,成为国内第三代半导体功率模组厂商的驱动芯片供应商。第二阶段,依托广东省科学院半导体研究所在第三代半导体功率器件制备和异构封装集成等领域的技术成果产业化转化,开发拥有完全自主知识产权和品牌的GaN功率模组系列产品和特定用户的专用产品,直接面向客户。本项目团队将依托广东省半导体研究所,吸引由行业背景的投资机构参与创立芯片设计公司,并通过社会化招聘的形式组建营销团队。本项目在5年项目实施期内,计划合计投资9000万元,实现销售收入1.6亿元,利税3800万元。 【展开】 【收起】